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NVD5865NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
1800
1600
1400
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
Q T
1200
1000
6
800
600
4
Q gs
Q gd
400
200
0
0
C rss
10
C oss
20
30
40
50
60
2
0
0
5
10
15
20
V DS = 48 V
I D = 38 A
T J = 25 ° C
25
30
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
40
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source vs. Total Charge
100
V DD = 48 V
I D = 38 A
V GS = 10 V
t d(off)
35
30
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t f
t d(on)
15
10
5
1
1
10
100
0
0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95 1.00
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
1000
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
T C = 25 ° C
10 ms
100 m s
1 ms
10 m s
10
dc
1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
0.1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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